石墨烯取向附生法—晶膜生長

取向附生法—晶膜生長

1、取向附生法是利用生長基質原子結構“種”出石墨烯，首先讓碳原子在 1 1 5 0 ℃下滲入釕，

2、然后冷卻，冷卻到850℃后,之前吸收的大量碳原子就會浮到釕表面，鏡片形狀的單層的碳原子“ 孤島” 布滿了整個基質表面，

3、最終它們可長成完整的一層石 墨烯。第一層覆蓋 8 0 ％后，第二層開始生長。

4、底層的石墨烯會與釕產生強烈的交互作用，而第二層后就幾乎與釕完全分離，只剩下弱電耦合，得到的單層石墨烯薄片表現令人滿意。

5、但采用這種方法生產的石墨烯薄片往往厚度不均勻，且石墨烯和基質之間的黏合會影 響碳層的特性。

6、另外Peter W.Sutter 等使用的基質是稀有金屬釕。

石墨烯的合成方法主要有兩種：機械方法和化學方法。

機械方法包括微機械分離法、取向附生法和加熱SiC的方法 ； 化學方法是化學還原法與化學解理法。